【摘 要】
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本文深入研究了高纯锗半导体探测器(HPGe)的制造工艺及其结构优化。利用Silvaco Tcad软件的工艺仿真工具Athena,对半导体材料进行了扩散和离子注入工艺仿真,从中获得所需的参
【机 构】
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中国原子能科学研究院核技术所; 核探测器重点实验室;
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本文深入研究了高纯锗半导体探测器(HPGe)的制造工艺及其结构优化。利用Silvaco Tcad软件的工艺仿真工具Athena,对半导体材料进行了扩散和离子注入工艺仿真,从中获得所需的参数,再利用Silvaco的器件仿真工具Atlas建立了基于HPGe的p-i-n结的电学结构模型。通过对不同形状器件击穿特性的研究,表明当两端掺杂浓度不变时,半导体探测器耗尽层越大,其反向工作电压增大,同时,在此偏压下有足够小的漏电流。本文还探讨了高纯锗探测器的工艺与扩散时间和扩散温度之间的关系。将为从工艺参数优化方面提高探测器性能提供帮助。
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