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金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。在传统器件的建模过程中,通常忽略了热效应对器件电特性的影响;而纳米级鳍式场效应晶体管(FinFET)器件自热效应非常突出,严重影响了器件的电流驱动能力。本文基于FinFET器件的短沟道效应电模型以及解析热模型,建立了FinFET的电热耦合模型。模型结果与实验数据吻合良好,揭示了自热效应对短沟道器件性能的显著影响。