Ru（0001）上BN的O2插层研究

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【摘要】

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在PEEM/LEEM系统中,我们原位探究了O2分子对Ru(0001)上CVD生长的单层BN的插层现象,结合XPS数据,证明了在UHV体系中一定温度下部分覆盖的BN/Ru(0001)是可以被O2插层的,满覆盖

【作者】

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杨阳傅强

【机构】

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中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室;

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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BN Graphene 插层活化能

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在PEEM/LEEM系统中,我们原位探究了O2分子对Ru(0001)上CVD生长的单层BN的插层现象,结合XPS数据,证明了在UHV体系中一定温度下部分覆盖的BN/Ru(0001)是可以被O2插层的,满覆盖的BN/Ru(0001)的插层现象则需要近常压条件才能发生。通过一系列动力学研究,我们得到了插层过程的活化能。此外我们将这一过程和O2对Graphene/Ru(0001)的插层现象进行了对比,发现BN/Ru(0001)的O2插层更容易发生且相对来说是一个渐变的过程并给出了可能的解释。

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