【摘 要】
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实验研究了不同脉冲宽度下静态随机存储器SRAM的电磁脉冲效应,重点研究不同存储器容量、存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40千伏/米之间。实验结果表明
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实验研究了不同脉冲宽度下静态随机存储器SRAM的电磁脉冲效应,重点研究不同存储器容量、存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40千伏/米之间。实验结果表明,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数。此外,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重。
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