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存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分，是电子系统程存储和数据存储的主要载体，本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究，并与目前应用较多的典型半导体存储器辐射效应进行了比较，获得了FRAM比传统半导体存储器具有更好抗总剂量辐射能力的结果。
铁电存储器总剂量辐射效应初探
【摘 要】
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存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分，是电子系统程存储和数据存储的主要载体，本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究，并与目前应用较多
【机 构】
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试验物理与计算数学实验室北京100076
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2009年7期
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