【摘 要】
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随着在便携式电子器件,光电子学,储能和传感等领域对锂离子电池性能的需求不断增加,1-3纳米硅以其卓越的理论比容量(3579 mAh×g(-1)) 4而备受瞩目。纳米硅可以通过镁还原SiO2制
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随着在便携式电子器件,光电子学,储能和传感等领域对锂离子电池性能的需求不断增加,1-3纳米硅以其卓越的理论比容量(3579 mAh×g(-1)) 4而备受瞩目。纳米硅可以通过镁还原SiO2制得。然而,传统的镁还原法通常需要600℃以上的高温,导致能耗高、副产物多。本文利用室温球磨法实现了金属镁对SiO2的高效还原,以纳米镁和纳米SiO2为原料,10分钟内即可以化学计量比完全反应,有效避免了高温和长时间球磨造成的颗粒团聚。球磨得到的纳米硅表面具有高反应活性,可直接与正戊醇反应形成疏水的纳米溶胶,极大提高了分离效率,以超过85%的收率获得了平均粒径仅为40 nm的高品质纳米硅。经过简单的碳包覆后,这种硅基材料在2.1A·g-1的电流下循环500圈后仍有1756 mAh·g-1的比容量。进一步研究表明,添加少量的Mg2Si可进一步提升室温球磨还原效率,以普通的商用镁粉为原料同样可以实现上述过程。粒径小于100 nm的纳米硅已在部分商用高能量密度的锂电池产品中得到应用,但目前小尺寸的纳米硅成本仍十分高昂。上述室温球磨法原料和设备成本低、能量效率高、易放大,是一种极具产业化前景的高品质纳米硅低成本制备技术。
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