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<正>以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30MPa制备出致密度高达98.5%的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷。采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能
SiC的添加对AlN/Mo/SiC复合陶瓷的制备及性能影响研究
【摘 要】
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<正>以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30MPa制备出致密度高达98.5%的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷。采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR
【机 构】
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北京有色金属研究总院;
【发表日期】
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2004年期
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