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利用磁控反应溅射法,以Al为靶材,在Ar/O2气体环境中,在Si衬底上制备出了Al2O3薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金属模式过渡到氧化物模式。
气体流量控制对磁控溅射Al2O3薄膜的影响
【摘 要】
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利用磁控反应溅射法,以Al为靶材,在Ar/O2气体环境中,在Si衬底上制备出了Al2O3薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着
【机 构】
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西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测实验室;
【发表日期】
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2004年期
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