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利用N型硅复拉料拉制太阳电池用P型单晶硅

来源 :中国第六届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：reich_ss

【摘 要】

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通过理论分析,推导出掺杂计算公式,用于N型Si复拉料拉制P型单晶硅补偿掺杂计算.在生产中得到成功应用,拉制的P型单晶硅电阻率控制在0.5～3.0(ohm.cm),制做的太阳电池片光电转换

【作 者】

：

罗永川 

【机 构】

：

云南半导体器件厂(昆明)

【出 处】

：

中国第六届光伏会议

【发表日期】

：

2000年10期

【关键词】

：

掺杂计算公式 硅复拉料 单晶硅 太阳电池 光电转换效率 补偿掺杂 

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通过理论分析,推导出掺杂计算公式,用于N型Si复拉料拉制P型单晶硅补偿掺杂计算.在生产中得到成功应用,拉制的P型单晶硅电阻率控制在0.5～3.0(ohm.cm),制做的太阳电池片光电转换效率平均达到13.18℅.

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