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中红外(2-5um)激光在红外光电对抗、激光制导、红外成像、红外遥感和环境监测以及激光医疗等领域具有广阔的应用前景,中红外激光晶体是中红外激光器的核心基础材料。本文概述了国外在二大类型的中红外激光晶体(掺稀土离子(Tm、Ho、Er、Dy等)晶体和过渡族离子掺杂的II-VI族半导体材料)的生长和性能等方面的研究进展,报告了我们在掺Tm、Ho氟化物晶体和Cr:ZnSe等中红外激光材料的制备和激光性能等方面的研究结果。