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二维过渡金属硫族化合物(TMDCS)具有丰富的元素组成与材料特性,在纳电子器件领域及新型光电器件领域具有重要的应用前景。我们围绕着二维过渡金属硫族化合物的结构控制合成与物性调控开展了系列工作:建立了多种气相合成方法实现了Mo S2、WS2、WSe2、Mo Te2等多种TMDCs材料及异质结构的控制合成方法,实现了材料的无损转移;通过调制二维TMDCs原子晶体层间耦合作用、尺寸与边缘结构以及引入形变等调控了材料的能带结构及电学、磁学等特性,进而构建了基于半导体性二维TMDCs的高性能场效应器件。