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VDMOS功率器件在混合集成电路中的使用率非常高,因此其可靠性显得相当重要。本文着重讨论了VDMOS功率器件应用于高温环境下的电学参数变化,二次击穿的影响,以及简单介绍电迁移、键合与贴片工艺引发的失效。
VDMOS功率器件的失效模式和失效机理研究动态
【摘 要】
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VDMOS功率器件在混合集成电路中的使用率非常高,因此其可靠性显得相当重要。本文着重讨论了VDMOS功率器件应用于高温环境下的电学参数变化,二次击穿的影响,以及简单介绍电迁
【机 构】
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广东工业大学材料与能源学院; 信息产业部电子第五研究所;
【发表日期】
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2004年期
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