随着航空工业的不断发展,越来越多的电路需要在空间辐射环境中工作,空间环境的辐射效应对电路可靠性带来了严峻的挑战,因而抗辐射加固技术的研究变得越发重要。目前,很多IC设计公司都在进行抗辐射加固技术研究。抗辐射加固技术主要分为两种:一是采用新材料和新工艺加固,如SOS材料和SOI工艺技术;二是采用抗辐射加固设计技术(RHBD)。本文梳理和分析了近年来国内外在系统逻辑级采用的设计加固方法,分析表明,除了传统加固方法向更深层次深入研究外,针对nm级工艺带来单粒子多位翻转和单粒子瞬态的影响,提出了许多新的设计加固方法。如对微处理器抗辐射加固而言,纠错检错方法(EDAC)、多线程冗余、多流水线冗余和多处理器冗余等加固方法,成为新研究热点;针对多核处理器核间通讯易受单粒子效应影响的问题,提出了基于片上网络(NoC)路由节点数据检测与重传机制,保证其通讯的可靠性。