2. 您的位置
3. 首页
4. 会议论文
5. MBE和HVPE制备GaN光学性质

MBE和HVPE制备GaN光学性质

来源 :2010年中国光电高峰论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fy9876

【作 者】

：

王连家 竹有章 王红霞 刘本利 苑进社 

【机 构】

：

第二炮兵工程学院物理教研室 重庆师范大学物理学与电子工程学院

【出 处】

：

2010年中国光电高峰论坛

【发表日期】

：

2010年期

【关键词】

：

样品质量 光致发光谱 反射光谱 外延法 生长 积分时间 光学性质 初步结论 氢化物 禁带宽 光现象 光强比 分子束 发光峰 速率 气相 膜厚 带边 

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献