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采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜,通过XRD、SEM、FT-IR等对薄膜进行表征并研究不同溅射工艺对薄膜光电性能的影响。实验表明,Al掺杂并不改变ZnO的晶体结构;随着溅射功率的增大,薄膜的电阻率呈降低的趋势,可见光透过率曲线出现Burstein-Moss移动现象,吸收边向短波方向移动。