【摘 要】
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运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收
【机 构】
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中科院半导体研究所纳米光电实验室;
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973项目)(批准号:2010CB327602)资助的课题~~
论文部分内容阅读
运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收系数与电子-空穴波函数交叠成正比,所以研究了InAs/InxGa1-xSb二类超晶格红外探测器的吸收波长和电子-空穴波函数交叠与InAs层厚度,InxGa1-xSb层厚度,In组分之间和周期数的关系.结果表明,吸收波长随InAs层厚度的增大而增大,随InxGa1-xSb层厚度增大而增大,随In组分增加而增大,随周期数的增大,先减小后不变.而电子-空穴波函数的交叠随InAs层厚度的增大而减小,随InxGa1-xSb层厚度增大也减小,随In组分增加而稍微增大,随周期数的增大,先增大后缓慢增加,然后基本上保持不变.另外,发现在相同的吸收波长下,InAs层的厚度与InxGa1-xSb层的厚度的比值越大,波函数的交叠也越大.
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