高纯SiC粉料合成工艺研究进展

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:janson2403
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SiC以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景,做为第三代半导体材料,SiC单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。本文针对生长单晶用高纯SiC粉料的合成方法与合成工艺的研究现状进行了阐述,并对不同合成方法优缺点进行了评述,此外对不同合成工艺对合成产物的影响进行了总结,最后提出了生长单晶用高纯SiC粉料的研究方向。
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