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<正>本文利用MOCVD技术成功的制备了不同铟组分的低铟InGaN(LI-InGaN)包裹层的InGaN/GaN多量子阱(Sandwiched MQWs)的LED。高分辨XRD和TEM图像表明复合结构多量子阱呈现出更陡峭的阱垒界面,更加光滑的表面形貌和更低的缺陷密度。夹层量子阱结构,具有更高的内量子效率,光强提高了45%:更小的蓝移量,效率骤降(EfficiencyDroop)减少了106%。本文还利用Crosslight的LED仿真软件包APSYS对实验进行了模拟。模拟结果与实验表征结果相符。结合实验及Crosslight软件提供的模拟细节,本文讨论了夹层对Efficiency Droop性能改善的物理机制:1.提高量子阱材料