论文部分内容阅读
铜基形状记忆合金作为一类重要的阻尼材料，不论是在性能上还是价格上都拥有其他材料所无法比拟的优势.然而由于其晶粒粗大，常易发生沿晶断裂.为解决此问题，本文以Cu-11.9Al-2.5Mn(wt％)形状记忆合金为研究对象，并利用Al-B-Re-X 孕育剂对其晶粒进行了有效细化.研究表明， CuAlMn 形状记忆合金的抗拉强度随晶粒尺寸的降低而升高，同时其断裂特征亦逐渐得到了改善.然而该材料的阻尼性能却随着晶粒尺寸的降低而下降，分析认为此与马氏体及孪晶界面滑移性的下降有关.