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<正>元素掺杂是将杂质原子引入半导体催化剂原本的晶体结构当中,用来改善材料本身的电子能带结构。元素掺杂通常分为金属元素掺杂和非金属元素掺杂两种不同的类型。g-C3N4金属元素的掺杂通常包括碱金属元素、过渡金属元素和稀有金属元素。由于金属离子是有效电子受体,因此掺杂到g-C3N4晶格中可以有效地增强它们捕获光生载流子的能力。不仅如此,g-C3N4掺杂金属离子之后,由于其独特的电子结构使得催化剂原有的电子能带结构发