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本文研究了用气相输运法制备的多晶CdTe薄膜退火前后的光电性质与表面形貌.不同退火温度后处理的CdTe薄膜其吸收边均位于850nm附近.随着退火温度的升高，薄膜的禁带宽度略有下降，(111)晶面的择优取向逐渐增强，晶粒尺寸增大；并还伴随着载流子浓度和室温暗电导率的上升，以及霍尔系数、迁移率和电导激活能的下降.另外本文还着重研究了气相输运法制备的有和无ZnTe：Cu背接触层的CdTe与Au、Ni、Co、Cu四种金属的接触电阻与CdTe和ZnTe：Cu背接触层的退火条件的关系.结果显示，在经400℃退火的CdTe上制备经退火的ZnTe：Cu后镀金，得到了最低的1.18×103Ω·cm2的接触电阻率.