LB技术制备PZT及PLZT薄膜及电性能研究

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【摘要】

：

采用LB技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出择优取向Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜以及稀土镧(La3+)掺杂的PLZT薄膜。研究了不同热处理工艺对PZT薄膜晶相的影响及不同La掺杂量对PLZT薄膜晶相的影响,并对不同热处理工艺的PZT薄膜及不同La掺杂量的PLZT薄膜进行电性能测试。通过LB膜技术,在亚相浓度为0.04μmol·mL-1,滑障速度为5mm·min-1,亚

【作者】

：

李莹

【机构】

：

哈尔滨工业大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

LB技术 PZT薄膜 La掺杂电学性质

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