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当前,由于其广泛的应用前景,自旋电子学领域的研究正在蓬勃发展。本文的工作就是围绕着自旋电子学中的磁性自旋阀,磁性隧道结和交换偏置作用等相关问题展开的,主要包括三个方面:第一,设计出了一种新型的L1_0 FePt自旋阀;第二,制备出了高性能的MgO隧道结;第三,研究了[Co/Ni]多层膜和FeMn的反铁磁耦合系统中的双向偏置现象。正文的主要内容如下:第一章简单介绍了自旋电子学的基本理论以及磁性自旋阀和磁性隧道结的基本原理,结构,材料和应用。第二章介绍了样品的制备和测量方法。