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本论文以频率可调声表面波滤波器(Tunable Surface Acoustic Wave Filter, TSF)的应用价值为着眼点,对电可调、超导控制薄膜频率可调以及滤波器组可调等TSF结构进行了分析研究。由于电可调方式工艺难度大、结构复杂,超导控制薄膜频率可调方式缺乏实用性,滤波器组可调方式体积庞大等不足,本论文拟采用具有结构简单、实用性强、体积小巧特点的多叉指换能器(Interdigital-Transducer, IDT)输入TSF结构进行分析。多IDT输入TSF体系采用平面结构,IDT垂直于声传播方向平行排列。通过选取不同的IDT组合作为输入、输出,实现了频率的调节与IDT的高效复用,体积较传统滤波器组TSF大为减小,频率调节范围得到极大扩展。为了实现对多IDT输入TSF的模拟与仿真,本论文从计算压电介质中的声平面波波速入手,通过分析材料参数的变换矩阵,编制相应的坐标变换计算程序,计算出了128°YX铌酸锂基片的材料参数,并求得了该切型中与声表面波同方向的切变波速度,为仿真提供了重要的模拟参数。此外,对有效介电常数的求解方法进行了讨论,采用文献中的近似公式计算出了模拟参数? ? ? ?的近似值。针对多IDT输入结构中存在闲置IDT的情况,通过分析周期性栅阵中波的频散特性,近似计算了闲置IDT对频率响应的影响。在对多IDT输入TSF进行模拟的过程中,通过对比各个因素对插入损耗、中心频率的影响,发现叉指电极对所起的影响至关重要。仿真结果显示,多IDT输入TSF的频率对叉指电极对数目的改变非常敏感,当输入、输出叉指电极宽度为5um和6um,输入、输出叉指电极对数目取20以内的不同组合时,中心频率可以从163MHz到205MHz连续调节。因此,本论文提出采用多叉指电极对输入实现中心频率调节的设想,并总结了基本的设计规律。多叉指电极对输入、输出TSF结构可以避免多IDT输入TSF结构中闲置IDT的出现,因而能够用现有的函数模型进行准确的理论计算,有望大大降低TSF的设计难度。