【摘 要】
：
等离子体引发聚合和等离子体材料表面改性是开发新型材料的重要手段.该文以甲基丙烯酸甲酯（MMA）为单体,利用CO等离子体引发其聚合.讨论了引发放电功率和电极距离对体系预聚合速
论文部分内容阅读
等离子体引发聚合和等离子体材料表面改性是开发新型材料的重要手段.该文以甲基丙烯酸甲酯（MMA）为单体,利用CO<,2>等离子体引发其聚合.讨论了引发放电功率和电极距离对体系预聚合速率和聚合物粘均分子量的影响,采用FT-IR、XPS、DSC等分析手段对聚合产物进行分析.结果表明：CO<,2>等离子体不能与MMA发生共聚,但是在一定的温度场条件下,可以对体系起引发作用,其引发效果与过氧化苯甲酰（BPO）相当,但是PMMA的间同立构规整度和玻璃化转变温度有了明显提高.
其他文献
ZnO作为一种新型直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，在蓝紫光发光二极管、紫外探测器、透明导电薄膜、太阳能电池、场效应晶体管、传感器以及自旋电
“学霸”，顾名思义，专指学习的霸主。学习刻苦，成绩优异，且几乎不做出格的事，是老师眼中的好学生，同学们的好榜样。而对于像本人这样的“学渣”来说，他们的存在，简直就是逆天，让人无法想象怎么会有这种以学习为乐的生物。还有不少“学霸”，甚至脱离了“学霸”的范畴，成天看动漫、玩游戏，还有甚者常常穿着军绿色的迷彩服拿着AK在后山处对着草丛扫射，这样都能随随便便考个年级前三甚至第一。这种人，严格意义上来说，应
ZnO纳米晶须具有四针状的三维立体形貌,呈单晶体结构,并且有着多方面的功能应用.该文采用了高频加热或高频——激光复合加热等方面方法于低真空气氛中制备了ZnO/Zn纳米晶须,