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随着现代信息技术的发展,电子技术跟电子工业都取得了巨大的进步,磁传感器件与磁存储器件都朝着小尺寸、高灵敏度和响应快速的方向发展。1992年,日本学者K.Mohri等人首先发现:当CoFeSiB非晶丝通以交变电流时,丝两端感生的电压幅值随外加磁场的变化而发生非常灵敏的变化。在低频时,趋肤效应可以忽略,阻抗中的电阻分量受外磁场影响很小,交流电压的磁场关系主要来自电感分量,称为“巨磁电感效应”;而在趋肤效应明显的高频环境下,电阻分量和电感分量同时受外磁场和驱动电流频率的影响,称为巨磁阻抗效应(GMI效应)