高稳定性无片外电容LDO设计与仿真

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低压差线性稳压器LDO具有电路简单、功耗低、输出噪声小、电源抑制比(PSRR)高等优点,成为电源管理芯片重要部分,广泛应用于各种电子设备中。随着SOC芯片的快速发展,无片外电容LDO成为新型稳压器研究热点。本文设计一款适合于SOC集成的片外电容LDO芯片,使其具有环路稳定性好和负载瞬态响应速度快的特点,在集成电子等领域有着广泛的应用前景。本文对传统LDO和无片外电容LDO的稳定性进行分析。针对芯片面积小的要求,采用一阶RC补偿和极点分裂法满足系统稳定性要求;电阻采用工作在线性区的MOS管代替
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