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微弧氧化脉冲电源是微弧氧化工艺中的关键设备,同时也是影响和制约微弧氧化技术发展的关键因素。然而,现阶段微弧氧化脉冲电源自身存在一些不足,且对于该电源性能改善的研究较少。基于此背景,本文研制了一台微弧氧化脉冲电源样机,电源主电路采用有源箝位PS-FB-ZVZCS变换器,控制方式采用二阶PWM滑模电压型控制,开关器件选用SiC MOSFET,基于该样机对微弧氧化脉冲电源的桥臂串扰效应、脉冲负载适应性等性能进行研究。针对全桥变换器副边输出整流二极管上存在严重寄生振荡的问题,采用了一种在功率变压器副边加入有源箝位环节的措施,同时实现了滞后臂开关管的ZCS与输出整流二极管寄生振荡的抑制。本文分析了变换器软开关的实现原理;建立了变换器及二极管等效电路模型,详细分析了副边寄生振荡的产生和抑制机理,讨论了几个关键参数对寄生振荡抑制效果的影响并给出设计原则。针对桥臂电路中SiC MOSFET高频动作引起的串扰效应问题,详细分析了移相控制的变换器中SiC MOSFET的工作条件和开关情况,分别对超前臂和滞后臂上串扰效应的解析表达式进行了推导,得出了超前臂串扰效应非常轻微、滞后臂只存在正向串扰电压的结论。在此基础上,采用了一种有源米勒箝位电路对桥臂串扰效应进行有效抑制,完成了SiC MOSFET驱动电路的设计。针对脉冲负载的阶跃变化对前级变换器输出电压稳定性提出的要求,提出了两项改善前级变换器脉冲负载适应性的措施:通过改进主电路结构和空载时封锁PWM驱动信号,消除前级变换器的空载过压现象;通过采用二阶PWM滑模电压型控制策略,提高前级变换器的动态响应速度和稳定性。并通过PSIM仿真分析验证了所提措施的有效性。在理论分析及仿真验证的基础上,制作了一台输出6k W/300V、开关频率50k Hz的实验样机,对上述研究内容分别进行了实验验证。实验结果表明了采用所提方法可以达到设计指标要求,验证了理论分析的正确性。