本文通过磁刺激作用接受字母工作记忆任务受试者的脑部位,探测磁刺激对字母工作记忆产生的影响。本文用心理学实验软件E-Prime设计字母工作记忆任务,采用TMS精确导航定位系统对刺激点精确定位,前三组实验分别改变磁刺激三项参数对受试者施加磁刺激,并记录行为学数据。三项参数包括刺激的部位,刺激的时间及刺激的频率。第四组实验在5Hz高频重复磁刺激和无磁刺激两种条件下记录完成字母工作记忆受试者的脑电信号并对脑电信号进行特征分析。行为学数据分析结果表明影响受试者字母工作记忆的主要时间点在受试者休息的间歇6s内,主要部位在受试者的左侧前额叶背外侧,高频磁刺激与无刺激相比反应时间明显缩短。对脑电信号进行特征提取,用相干叠加平均提取事件相关电位的P300潜伏期,在5Hz高频磁刺激下,受试者的P300潜伏期缩短,P300潜伏期表征受试者接受字母刺激到做出反应的时限缩短,说明高频磁刺激兴奋了受试者字母工作记忆的主要部位,在此基础上为了揭示脑区之间的信息传递过程,对脑电信号进行了时频分析和相干分析,发现磁刺激旖加后,小写字母出现后0到500ms时段,β波段的能量显著提高,高能量集中在α波段的时间变长,β波在额叶与顶叶比较明显,说明施加磁刺激后,受试者的额叶活动增加,磁刺激激活了受试者的额叶部位。对比ITC观察两种条件下的锁相关系发现β波段在施加刺激之后ITC值变小,说明此时锁相关系变弱,能量在脑额叶及枕叶分布有所变化。施加磁刺激的被试在小写字母出现后的300ms到500ms范围内β波段相干增加,说明顶叶到额叶的大脑活动增加。施加磁刺激之后,在400ms到500ms范围内α波段相位差增大,说明在这一阶段顶叶信息传递的方向发生了较大的改变。小写字母出现后的388ms到400ms,β波段的正相位差在施加磁刺激后消失变成了负相位差,说明磁刺激作用影响这一阶段额叶信息传递方向。综上分析,可以得到在休息间歇6s,高频重复磁刺激刺激受试者左侧前额叶背外侧可以缩短受试者的反应时间,提高受试者的字母工作记忆。