RFID（射频识别）芯片伴随着半导体技术的发展得到了广阔的应用,但是RFID芯片向深亚微米发展使其关键部件MIM电容的制造工艺成为难点,所以本文选择基于RFID芯片应用的0.13μm高密度MIM电容制造工艺研究为主题展开实验。本实验以几种MIM电容介质材料为研究对象,并结合电容的结构设计进行实验设计和效果分析,目的是为了找到基于0.13μm RFID芯片应用且电性参数符合要求的高密度MIM电容制造工艺。实验表明:对于普通介质材料,即SiN和SiO₂,由于材料的low K特性,无论采用普通的PECVD还是先进的ALDCVD工艺,SiN或SiO₂薄膜只能制得大约2fF/μm2电容密度的MIM电容,但所得电容的Leakage、BVD、Tcc、Vcc等电性参数都较好;如果应用High K材料Al₂O₃和SiO₂组合进行工艺改进和实验设计,可以得到较高电容密度,大约4fF/μm2的MIM电容,但是Tcc、Vcc等参数仍需进一步改善;最后,采用MIM电容的立体叠层设计,进行工艺改进,利用low K材料SiN和SiO₂介质也可以制造电容密度4fF/μm2的高密度MIM电容芯片,而且各项电性参数满足产品应用需求。