【摘 要】
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作为纳米材料的重要组成部分,一维（1D）纳米材料因为其独特的一维结构受到了相当多的关注。一维纳米材料具有许多优点,例如大的表面-体积比、量子限制载流子传输以及由于光散射
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作为纳米材料的重要组成部分,一维（1D）纳米材料因为其独特的一维结构受到了相当多的关注。一维纳米材料具有许多优点,例如大的表面-体积比、量子限制载流子传输以及由于光散射和俘获导致的低反射率等,这些特性有助于提高光电响应过程中光子的收集效率,因此被认为是作为太阳能电池和光电探测器构成材料的一种很有前景的选择。本文以化学还原法和后退火处理相结合的方法制备的NiO 1D纳米材料为研究对象,研究了退火温度对NiO 1D纳米材料微结构和组分的影响规律;利用传统的集成电路加工工艺将NiO 1D纳米材料与ZnO薄膜结合起来,共同构建出一种新型自响应的紫外光电探测器,并对其性能进行了测试分析。主要成果如下:1、研究了退火过程中Ni纳米线氧化的动力学过程,发现当退火温度达到425℃时,纳米线两端开口形成中空结构;2、利用集成电路工艺制备出了单根Ni-NiO核-壳纳米线/ZnO纳米薄膜紫外光电探测器。结果表明器件具有良好的p-n结特性,其整流比高达2000,开启电压为0.5 V;3、单根Ni-NiO核-壳纳米线/ZnO纳米薄膜紫外光电探测器具有良好的紫外光响应特性。在光伏效应的测试中发现器件的光电响应度在312 nm波长处达到最大值为17 m A W-1;在365 nm紫外光照射下光电流随着光照强度的增加而增加,光暗电流比的最大值为7,器件的上升时间约为50 ms,恢复时间约为2.9 s。
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