CdTe作为直接带隙材料,具有高吸收系数,禁带宽度约为1.46 eV,正好位于理想的太阳电池的能隙范围,仅1μm就能吸收90%以上的可见光,理论效率高达28%。本文主要进行了磁控溅射法制备吸收层CdTe薄膜的研究工作。首先,采用了磁控溅射法制备CdTe薄膜,分析了衬底温度、溅射时间、溅射功率以及氩气压强对薄膜的结构特性、光学特性以及表面形貌的影响。然后将磁控溅射法得出的较优的实验参数运用到电池的制备当中,具体结论如下:1、通过对磁控溅射法制备的CdTe薄膜分析后,得到当衬底温度为300℃、溅射功率为100 W、氩气压强为1.4 Pa时,呈现较好的结晶性,在可见光范围内有较好的吸收性能,且晶粒尺寸较大。此时,CdTe薄膜各项性能处于较优状态;2、将性能较优的CdTe薄膜的实验参数应用至电池的制备当中。分别制备了背电极为Au和Cu/Au的碲化镉电池。经过对薄膜厚度、热处理工艺、结晶质量以及背电极处理工艺上不断改善和优化的基础上,最终制备了光电转换效率为4.18%的CdTe薄膜电池,电池的参数为:开路电压为561 mV,短路电流密度为14.98 mA/cm~2,填充因子为49.7%。本实验采用磁控溅射法对CdTe薄膜的实验参数进行了优化,并制备出了一定效率的CdTe电池。相信在今后,也能采用磁控溅射法制备出高效率的碲化镉电池。