【摘 要】
：
ZnO作为重要的半导体材料,近年来受到了广泛的关注。本论文针对ZnO纳米材料研究的热点问题,研究了水热合成法和气相传输方法制备一维ZnO纳米结构及其生长机理。利用n-ZnO纳米
论文部分内容阅读
ZnO作为重要的半导体材料,近年来受到了广泛的关注。本论文针对ZnO纳米材料研究的热点问题,研究了水热合成法和气相传输方法制备一维ZnO纳米结构及其生长机理。利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备了p-n异质结结构,并对其光电性能进行了研究。本论文的具体研究内容如下:(1)利用水热合成法制备一维ZnO纳米结构,对样品的结构、形貌进行表征并分析其生长机理,通过PL测试,发现制备的ZnO纳米结构具有良好的光学性能。(2)利用气相传输法制备了ZnO纳米线阵列,分析了其生长机制,并对其进行了测试。在实验过程中,改变了实验条件,发现载气流量和载气浓度比R能够影响ZnO形貌。(3)利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备p-n异质结结构。首先,对p-Si进行刻蚀,然后利用水热合成方法在刻蚀后的Si片上生长ZnO纳米结构。经过测试,形成的p-n异质结具有较好的结结构和光电性能。
其他文献
目前,由于自然界中的湖泊、土壤不断受到污染导致人们饮用水、粮食、蔬果中的重金属含量超标的现象日渐严重,已经对人类的身体健康产生巨大影响。快速、准确的对饮食中的重金
近年来，有机半导体材料的迅速发展以及对相关物理和化学性质的深入研究，促进了其在电致发光、太阳能电池、场效应管、存储器等方面的广泛应用。螺环芳烃共轭材料在有机电子领域
在液晶显示中，液晶以薄层的形式存在，液晶层的厚度只有微米数量级，液晶分子指向矢在横向有微小的变化，但在整个盒厚方向指向矢会有很大的变化，这些液晶层夹在两个玻璃基板中间(两
本文利用一维软核势模型建立起描写氢原子在强激光场中的一维含时薛定谔方程，采用了零边界条件，简化了计算过程。离散化薛定谔方程后，把它变成差分方程。利用4阶显式辛格式求解
本文采用自蔓延高温合成工艺制备NiCuzn铁氧体粉体,探索了以C粉为燃料对SHS合成铁氧体性能的影响,并制备出具有高磁导率的NiCuzn铁氧体材料。利用多种测试手段和分析方法对合成铁氧体的结构和性能进行了较为系统的研究。首先,根据热力学和C燃烧理论推导出该体系的绝热温度和C含量相互之间的关系,为SHS制备NiCuzn铁氧体粉体工艺中C粉的用量提供了理论依据。其次,研究了C粉含量和氧气压力等工艺参数
消色差相位延迟器是相位延迟量与波长无关的延迟器,他削弱了相位延迟量对波长的依赖程度。根据设计机理的不同,消色差相位延迟器可分为全内反射型和双折射型两大类。消色差复
自从Iijima合成碳纳米管以来,不同结构碳纳米材料由于其优异的物理和化学性能备受国内外科研工作者的关注。目前碳纳米材料主要的制备方法有:电弧放电法、激光烧蚀法、化学气