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光伏行业近十年取得了快速的发展,其中晶硅太阳电池不仅在成本上有了大幅降低,电池效率也得到很大的提升,传统单晶硅电池从17%提升到20%左右,各种高效结构电池也有很大突破。作为影响晶硅太阳电池效率的关键技术,p型晶硅的表面钝化及掺硼晶硅电池的光致衰减问题一直没有得到很好的解决。本文系统地对这两个问题进行了研究。本文采用PECVD和ALD沉积技术制备了SiNx和Al2O3薄膜,采用快速热退火炉对各寿命片进行不同条件的热处理,先后研究了退火时间、退火温度和薄膜厚度对p型晶硅表面钝化的影响,找到了各类钝化膜的最佳热处理条件。同时,通过PV2000A测试系统对钝化膜的固定电荷密度和界面缺陷态密度等进行了表征,对钝化的影响机理进行了比较深入的分析。其次,本文通过对各种寿命片及不同结构的电池片的光照实验,验证了掺硼晶硅电池的光致衰减现象。发现常规掺硼晶硅电池在经过光照后,开路电压、短路电流和转换效率等电学性能均出现一定程度的衰减,常规单晶电池光照1710min后效率衰减率为3%左右,单晶PERC电池效率衰减率达到4.25%,认为光致衰减现象的形成因素包括以下三点:一、晶硅材料中的硼氧元素在光照后形成B-O复合体,该缺陷复合体对载流子具有严重的复合作用;二、与间隙Fe有关的相关缺陷也会导致晶硅材料的光致衰减;三、光照后钝化层的界面缺陷态密度有一定的升高,钝化层钝化效果的降低是光致衰减另一影响因素。最后本文采用掺镓晶硅代替普通掺硼晶硅制备出具有很好抑制光致衰减的电池片,使用掺镓晶硅的单晶PERC电池和多晶电池光照1710min后衰减率降低至0.91%和0.68%。同时,本文对晶硅材料及晶硅电池的再生处理进行了相应的研究,发现再生态处理能够有效抑制晶硅太阳电池的光致衰减现象,各类电池照射1710min后效率衰减率均低于1%,最佳的再生处理条件为空气中光照下200℃保温10min。