该学位论文是关于探索TiO<,2>压敏陶瓷用于微电机消噪的环形压敏电阻的可行性方面的研究.该类元件不仅要求其具有伏安非线性特性,同时还应具有较大的电容量.目前国内该类产品有SrTiO<,3>系列或ZnO系列,但前者工艺复杂,后者不具备电容性.现有研究业已表明,TiO<,2>压敏陶瓷具有此项应用的开发潜力,极有可能被开发成为一个新的系列.在前期关于n型半导化TiO<,2>陶瓷的基本特性的研究基础上,该文针对上述具体应用,在TiO<,2>陶瓷的低压化及高介电系数改性方面进行了系统的研究.首先,改Nb<,2>O<,5>作为施主掺杂,同时调整受主SrCO<,3>、助烧剂Bi<,2>O<,3>等的掺杂剂量,摸索出了适合于微电机消噪的低压TiO<,2>系电容—压敏复合功能材料的优化组成配方,为进一步开发研究积累了实验经验.其次,系统地测试了ZnO、SrTiO<,3>和TiO<,2>不同系列的低压压敏陶瓷的J-E特性,综合分析了这类材料的晶界导电行为,以双Schotty势垒模型为基础,明确提出了在一般情况下(电场不太大),其导电机制仍然是晶界电子热发射过程.再次,在工艺技术方面做了大量细致的实验研究.已经探明:与传统的裸烧工艺相比,埋烧可以降低材料参数E<,10mA>,增大材料的视在介电常数ε<,rα>;适当低的烧结温度,有利于降低材料参数E<,10mA>和增大视在介电常数ε<,rα>,但同时非线性系数α也相应较小,较佳的烧结温度为1250℃左右.此外,根据拟定元件形体结构和性能参数,推算出了元件的主要电性能参数与材料参数的关系;完成了元件的设计和试制,制备出了外径Φ<,外>=11.0mm,内径Φ<,内>=7.0mm,厚度为H=0.8mm的环形元件,其主要电性能参数为:极间压敏电压V<,10mA>=13.0V,非线性系数a=3.5,1KHz下极间电容C=13.7nF,1KHz时的损耗tgδ=0.27.