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稀磁半导体(DMS)材料可利用电子自旋所需能量小,易控制等优点实现许多新的多功能器件。其中,纤锌矿结构的ZnO由于具有生长温度较低,激子束缚能较大(60meV),禁带较宽(3.27eV)支持较大的磁性掺杂浓度,被预言可实现较高居里温度等优点,成为研究II-VI族DMS的理想选择。本文先介绍了目前人们对稀磁半导体的有关研究,着重介绍ZnO基DMS研究情况。为寻找一种较好的制备掺杂ZnO稀磁材料的工艺方案,我们用磁控分层溅射及共溅法制备了Cr掺杂ZnO薄膜,并用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备