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ZnO是一种宽带隙半导体材料(3．37eV)，激子束缚能大(60meV)，在室温下容易获得强的激子发射，可能成为紫外激光的重要材料。由于ZnO(002)晶面表面自由能最低，因此大多数技术所制备的ZnO薄膜都是沿c轴极性生长，与GaN类似，极性ZnO的发光效率比较低，因而限制了ZnO的应用。非极性ZnO可以克服这一物理现象，提高ZnO的发光效率。本文利用单源化学气相沉积(SSCVD)法，并采用一种新型固相源(Zn_xO_yC_zH_i)在S_i衬底上制备非极性ZnO薄膜，主要对ZnO薄膜的生长方式、结