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聚偏氟乙烯(poly(vinyhdenenuoride)，PVDF)是目前应用最广泛的铁电有机聚合物材料之一。陶瓷/PVDF基复合材料作为一种新型功能复合材料，不仅克服了各组分自身的不足，而且还提高了复合材的部分性能。具有较低的密度、高的柔韧性和易加工等优点，所以在军事、医疗和电子工业等领域有着非常广泛的应用前景。而随着科学技术的发展，对陶瓷/PVDF基复合材料的性能要求越来越高，因此提高该类材料的综合性能具有重要的意义。本文以PVDF为基体，以钛酸铋钡（BaBi4Ti4O15简称BBiT)、镧改性的钛酸铋钡（La改性的BaBi4Ti4O15简称BBiLT)、铌酸铋钡(BaBi2Nb2O9简称BBN)、铌酸铋锶(SrBi2Nb2O9简称SBN)陶瓷铁电粉体为填充组分，采用溶液流延法制备了PVDF/BBiT、BBiLT、BBN、SBN复合薄膜材料。研究了用不同制备方法、不同含量的陶瓷粉体以及不同测量频率和不同厚度的复合薄膜材料对其介电性能的影响，并对其机理进行了初步探讨。本文还借助电子扫描显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等表征技术，对陶瓷粉体和复合薄膜的微观结构进行了表征。本实验通过改变陶瓷粉体的含量、种类、膜的厚度以及测量频率来探究其对复合材料宏观物理性能以及微观结构的影响。实验结果表明，当陶瓷粉体含量为4%时，复合薄膜的致密性较好，内部缺陷较少，β相相对含量较高，介电性能较好。四种复合薄膜中PVDF/SBN复合薄膜的介电性能最好，当SBN为4%时，PVDF/SBN复合薄膜最高介电常数值为22.5，最小介电损耗值为0.0255；随着复合薄膜厚度增加介电常数和损耗均增大，故复合薄膜厚度不宜过大；随着测量频率增加，复合薄膜的介电常数减小，介电损耗增大，故测量频率越小越好。