现代材料科学研究正在飞速发展,人类生活的发展也对材料科学的研究提出了更高的要求。材料在电子领域、信息传播领域和智能领域的应用越发广泛,一些新的材料需求也随之而来。在这种背景之下,Cu石墨基复合材料表现出无限的应用前景。磁悬浮碰撞研磨技术作为一项先进的微纳米粉体研磨技术,在现阶段的新材料的制备方面有很大的优势。本文主要是通过磁悬浮碰撞研磨和热压成型的方法制备新型铜/石墨基复合材料。采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线能量色散谱仪（EDS）观察微纳粉体形貌和元素分布,X射线衍射仪（XRD）和显微拉曼光谱仪分析微纳粉体物相组成,根据所得结果调节球料比、转速、球磨时间、Cu/C比例的球磨参数,选择一套最佳工艺参数。而后在Cu/C基粉末中加入溶胶凝胶法制备的TiB₂,然后采用真空热压成型工艺对粉体进行致密化成型,形成块体微晶复合材料。通过调节烧结温度、成型压力、保压时间等参数,优化最佳热压成型工艺参数,制备出硬度和导电性能优异的Cu/C/TiB₂复合材料,并得到以下结论。（1）对于铜/石墨基复合材料来讲,采用磁悬浮碰撞研磨粉体最佳工艺参数为:磁悬浮碰撞研磨最佳时间为3 h,C含量在1%时的Cu/C纳米粉末性能最优更适合后续的真空热压成型。（2）随着时间的延长,Cu/C颗粒出现了明显的机械合金化现象,Cu/C颗粒焊合和团聚,团聚颗粒经历了焊合-细化-再焊合的过程。同时C含量的增加有利于颗粒的细化和片层化。（3）对于纳米复合粉体的致密化成型操作采用真空热压烧结,真空热压烧结的热压温度850℃,升温速率10℃/min,保温时间2 h,成型压力60Mpa。（4）TiB₂含量的增加有利于材料的硬度的提升,但是一定程度降低了材料的导电性。Cu/C/TiB₂中C的参与对于硬度和导电性都有一定程度的提升。其中TiB₂含量在3%的Cu/C/TiB₂复合材料有着最优的硬度和导电性能。