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透明导电氧化物(TCO)薄膜材料具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同的光电特性,广泛地应用于平面显示器件、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层及其他光电子、微电子、真空电子器件等领域。目前透明导电氧化物薄膜主要包括In2O3、SnO2、ZnO、CdO及其掺杂体系。前人的实验发现,在In2O3薄膜中掺入Mo后,薄膜的电阻率会急剧下降。由于掺杂的Mo以Mo6+离子代替In2O3中In3+离子,Mo6+和In3+离子的价态差为3,使得薄膜在少量的掺杂条件下就可以获得较多的自由载