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随着电容式RF-MEMS开关的发展，RF-MEMS开关可靠性是制约它发展的主要因素之一。本文主要利用Intellisuite软件设计固定梁结构RF-MEMS开关，并介绍其工作原理和工艺流程，研究开关性能结构参数对驱动电压、开启时间的影响，最终确定开关主要性能参数。在本文后一部分着重研究固定梁RF-MEMS开关的可靠性，从薄膜冲击速度、薄膜内建电场以及电介质充电三个角度来分析开关失效原因，给出电介质充电寿命预测公式，预测开关寿命及影响因素。主要研究内容如下。(1)利用Intellisuite和