我们基于InAs/GaAs半导体异质结构提出一种新颖的量子点光子晶体全光开关。这种结构具有大的量子限制斯塔克红移、好的温度特性。在 GaAs衬底上生长的 InAs量子点由于内建应力使得有效带隙(～1.05ev)改变很大，其激子辐射波长可以处于光纤零色散窗口。基于这种材料，我们做了如下工作：首先，我们用泵浦探测方法计算了量子点光子晶体的反射谱和透射谱。结果表明温度和量子点的均匀性对光谱有很大影响。量子点相对粒径涨落标准差小于0.002，在温度为80 K时，具有很好的开关特性。其温度特性明显好于量子阱光子晶体全关开关。其次，我们研究了开关的对比度，对于反射式开关，量子点相对粒径涨落标准差小于0.002、在温度为10 K时，其反射光强接近100％，对比度可达25 dB。在相同的情况下，透射式光开关对比度可以达到55dB，但是透射式的光开关的光强远小于反射式光开关，一般不到50％。最后，我们模拟了一组归零码信号通过光开关，我们证明对于脉冲宽度为40 ps的归零码在光开关中有很好的格式透明。此外，我们还分析和讨论了量子点光子晶体用于全光网络的光开关的问题。