【摘 要】
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MgO和ZnO形成合金Zn_(1-x)Mg_xO的带隙可以在3.2-7.9eV之间变化，在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和Zn_(1-x)Mg_xO交替沉积而成的ZnO／ZnMgO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。本文采用脉冲激光，分别在Si(100)衬底和采用ZnO作为缓冲层的Si(100)衬底上生长了ZnMgO薄膜，并对衬底温度，激光频
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MgO和ZnO形成合金Zn_(1-x)Mg_xO的带隙可以在3.2-7.9eV之间变化，在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和Zn_(1-x)Mg_xO交替沉积而成的ZnO／ZnMgO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。本文采用脉冲激光，分别在Si(100)衬底和采用ZnO作为缓冲层的Si(100)衬底上生长了ZnMgO薄膜，并对衬底温度，激光频率，氧压以及生长时间等生长工艺参数进行了系统的研究。同时尝试了在Si(100)及
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