以IGBT为核心器件三电平变频调速系统具有更高的耐压特性,良好的运行特性,在大功率场合得到了广泛地应用。随着半导体器件的发展以及控制技术的发展,开关频率的不断提高,IGBT在导通关断的瞬间产生过高的电压变化率和电流变化率,由此带来的EMI问题对自身及周围设备构成了严重威胁。论文首先分析了传导EMI的产生机理以及耦合路径,分别介绍了系统中的共模干扰和差模干扰的分别流通路径,指出三电平变频调速系统的电磁干扰很大程度决定于系统的高频寄生参数。寄生参数实验测量对设备和测试环境要求较高,寄生参数的精度不能保证则会导致传导干扰分析的精度难以保证,因此本文采用有限元软件Q3D提取的方法提取系统的寄生参数。其次基于有限元软件提取寄生参数的方法,分别对电阻、电容、电感、电缆、直流层叠母排和异步电机等元件、设备进行建模分析,建立了高频电路模型,同时采用型号为Agilent E4980A阻抗分析仪对以上元件设备进行实验测量,将测量结果与ANSYS Q3D提取的结果对比,得出结论,寄生参数软件提取方法更具有稳定、精确的优势,尤其是对已安装成型的设备,采用实验测量不方便,软件提取法可弥补这一不足。在准确提取系统的主要寄生参数的基础上,基于“场”和“路”相结合的思想,“路”的控制策略和“场”的电磁过程相结合,采用了Simplorer与Maxwell场路的联合仿真对三电平变频调速系统的传导干扰进行仿真分析。同时介绍了大功率三电平变频调速系统中的传导EMI的测试方法,分析了基于高压探头测量传导干扰与基于LISN测量干扰的区别以及各自的适用场合;本文在实测中采用基于高压探头的测量方法,在场路联合仿真时采用基于LISN网络的方法,最后,将场路联合仿真结果与基于高压探头的实测结果对比,不仅验证了场路联合仿真的正确性,得出场路结合的方法对传导干扰的仿真预测具有更高的准确性的结论。该论文有图85幅,表9个,参考文献90篇。