随着二维材料研究的发展,单质元素按蜂窝状晶格排列形成的单质二维材料受到人们的关注。理论预测由Sn构成的单原子层晶体——锡烯由于存在较强的自旋轨道耦合,可以产生较大能隙的量子自旋霍尔态,是研究电子无耗散输运、拓扑超导的理想材料。由于其新奇的物理特性和潜在的应用前景,锡烯成为当前凝聚态物理领域中一个重要的研究课题。本论文着眼于二维锡材料的实验制备,采用超高真空分子束外延技术,在Si(111)和MoS2衬底上进行Sn的外延生长,利用扫描隧道显微镜从原子尺度上观察Sn在不同衬底表面上的成核生长行为和结构演化过程,具体研究结果如下:首先,针对Sn在Si(111)不同東构表面上的初期生长行为进行对比分析。实验结果表明,在7×7表面Sn受到衬底结构的影响,会优先选择吸附在7×7半单.胞中形成团簇结构,通过控制沉积量和退火温度,可以获得规则有序的Sn团簇阵列;在2√3×2√3-Sn表面上,由于与衬底的结合能较低,Sn倾向于优先吸附在畴界或缺陷位置,形成纳米颗粒;而在√3×√3-Sn 重构表面,Sn可以稳定吸附并呈现二维生长模式,形成片层状的外延结构。根据Sn的生长特点,我们构建Si(111)-√3×√3-Sn重构表面作为衬底,控制生长条件,制备得到了具有单原子层厚度的二维Sn薄膜。另一方面,我们针对Sn在MoS2衬底上的外延生长和结构演化进行研究。观察发现,Sn在MoS2表面上室温沉积后以混合模式生长,适当的加热退火可以使表层的Sn颗粒退化兼并至下方Sn层中,在衬底上形成具有局域的片层堆叠结构的Sn覆盖层。随着退火温度的升高,Sn发生团聚形成大尺寸的金属颗粒,同时在表面上进行刻蚀产生三角或六边形状的凹陷区域,并由于颗粒的移动留下长条状的刻蚀印记。研究结果为二维锡基薄膜以及相关低维结构的制备控制提供了科学数据。