有机-无机杂化物钙钛矿材料是一种具有高功率转换效率和长距离平衡空穴电子传输特性的新型半导体材料,并且兼具无机和有机材料的诸多特性,如可用溶液法大面积制备、带隙可调、载流子迁移率高、荧光效率高等优点,在照明、显示和激光器等领域存在巨大的应用潜力。CH3NH3PbBr3钙钛矿材料制备的钙钛矿发光二极管可高效地将电能转化为光能。但目前钙钛矿发光二极管仍存在诸多问题,如稳定性差,发光效率不高等问题,本文针对发光效率这一问题,通过对钙钛矿光发射层的薄膜界面工程及其光电特性测试展开研究,主要研究内容如下:(1)通过改变空穴传输层旋涂时的转速以及钙钛矿层的退火温度,调控钙钛矿薄膜晶粒的尺寸大小、薄膜的致密性和均匀性,得到高质量的薄膜,并提高了器件性能。最终经过实验数据分析,采用转速为3000 r.p.m.旋涂的PEDOT:PSS上制备的钙钛矿薄膜孔洞小且薄膜致密均匀性良好,之后在3000 r.p.m.旋涂空穴传输层的基础上选用钙钛矿层退火温度为70℃,此时制备的钙钛矿晶粒尺寸均匀,致密度高,光电性更好。(2)针对钙钛矿发光二极管的发光特性,基于积分球系统并结合光谱测量系统,搭建了一套可以有效测量钙钛矿发光二极管低亮度及低外量子效率的测试系统。通过使用商用氮化镓发光二极管的相关数据作为校准数据,将本文搭建的测试系统进行校准,经实际测试可以得出搭建的外量子效率测试系统可以有效测量低亮度以及低外量子效率值的结论,并与参考数据相对比,亮度的相对误差不超过9%,外量子效率的相对误差不超过6%。(3)最后搭建偏振态测试系统,并采用PDMS微压印技术对钙钛矿层进行压印处理,得到具有图案的钙钛矿层薄膜并制备成器件,测试其偏振特性及其他光电特性进行数据分析。使用搭建的偏振特性测试系统测得压印后的钙钛矿发光二极管无偏振态发射光,但经过微压印后得到的钙钛矿薄膜光致发光强度较不压印的钙钛矿薄膜增强,器件电流效率比不压印提高1.6倍,外量子效率为0.12%。