掺杂钨酸锌晶体作为一种新型白光LED用荧光材料，本文对其进行了研究，包括其生长工艺，缺陷和稀土离子的掺杂，光谱分析以及相关计算。 用丘克拉斯基法生长不同掺杂浓度的Ce<3+>，Ho<3+>，Eu<3+>和双掺Ce<3+>与Eu<3+>的ZnWO<,4>晶体。生长工艺为：硅碳棒加热，铂坩埚盛料，硬质的氧化铝筒作为后热器；固液界面以上温度梯度为ΔG≥30℃/cm；转速为30～35rpm，提拉速度为3～4mm/h。采用浸蚀法对各种晶体进行位错分析实验，对其宏观和微观缺陷进行分析。 通过测量Ce<3+>，Ho<3+>，Eu<3+>和双掺Ce<3+>与Eu<3+>的ZnWO<,4>晶体的光谱，确定了各种离子在ZnWO<,4>晶体中的能级分布。观察到在340nm激发下ZnWO<,4>：Ce<3+>发射宽谱带蓝光；460nm激发下的ZnWO<,4>：Ho<3+>晶体发很强的黄光发射；以613nm作为接收光源的ZnWO<,4>：Eu<3+>和ZnWO<,4>：Ce<3+>，Eu<3+>晶体的激发光谱，波长为396nm和467nm，且在其激发下，观察530nm-730nm范围内的荧光光谱，可以作为一种红光发光材料。可以得出，这几种掺杂稀土离子的ZnW04晶体可以作为不同LED的匹配发光材料。 本文还利用Judd-Ofelt理论，从ZnWO<,4>：Eu<3+>晶体的发射光谱出发，首次计算ZnWO<,4>晶体中Eu<3+>离子唯象强度参数Ω<,λ>(λ=2，4)，数值分别为：Ω<,2>=12.8183×10<-20>cm<2>，Ω<,4>=0.0648×10<-20>cm<2>，并且根据此参数计算了在ZnWO<,4>晶体中Eu<3+>离子部分能级的自发辐射跃迁几率，能级寿命，有效线宽以及受激发射截面。