纳米结构的半导体材料、金属材料以及金属一半导体复合材料在纳电子学、纳光子学等方面的应用在过去几年中受到了很大关注。在众多纳米材料的制备方法中,化学气相沉积具有形貌可控性强,产物晶体质量高、产量大等优点。通过控制长条件,可以制备出多种纳米结构,例如纳米线、纳米带以及纳米电缆等；而对生长气氛以及源的种类、衬底位置、温度梯度的调节又使得掺杂、异质结和超晶格纳米结构甚至超薄的纳米材料的制备成为可能。本论文的工作包括使用化学气相沉积法制备半导体、金属以及金属一半导体复合纳米材料及性质的研究,主要有以下几方面的内容：1. Ag/ZnO及Cu/ZnO同轴纳米电缆的制备和电学性质我们采用AgNO3、ZnO或Cu、ZnO做蒸发源,利用化学气相沉积法制备出了Ag/ZnO和Cu/ZnO同轴纳米电缆。SEM、TEM图像及EDS能谱表明共轴纳米电缆具有金属的Ag或者Cu内芯以及半导体的ZnO外壳。通过改变源中AgNO3的量,Ag/ZnO纳米电缆以及中间Ag内芯的直径均可以实现控制,纳米电缆的生长遵循VLS机制。光致发光谱表明Ag/ZnO和Cu/ZnO纳米电缆均存在带边发射以及与缺陷态有关的深陷阱发射。电学性质测试表明,Ag/ZnO纳米电缆中Ag/ZnO接触类型为肖特基接触,势垒高度为0.31eV。退火对肖特基接触的影响也进行了研究,退火后肖特基势垒高度降低为0.29eV。2.单晶Ag纳米线的化学气相法制备及其表面增强Raman性能我们利用两步法制备出了高产量且形貌均一的单晶Ag纳米线。通过气相法制备Ag纳米线的工作之前很少有报道,并且这些报道中Ag纳米线的生长机制都是VS机制,而我们的Ag纳米线是通过VLS机制生长得到。第一步先通过气相法以AgNO3和ZnO为源热蒸发,制备出Ag/ZnO同轴纳米电缆。然后利用Ag不易与盐酸反应的特性在盐酸溶液中腐蚀掉Ag/ZnO纳米电缆的ZnO外壳,从而得到了Ag纳米线。Ag纳米线的直径为200nm左右,长度可达几十μm。选区电子衍射花样表明Ag纳米线为面心立方单晶结构。通过改变反应气氛中Ag蒸气的浓度,可以对Ag纳米线的直径实现控制,例如降低Ag蒸气浓度可使Ag纳米线直径从200nm降低至100nm。另外,我们测试了制备得到的Ag纳米线衬底对罗丹明B分子的表面增强Raman效果,最低探测浓度可达10-9mol,表现出很好的Raman增强效果。3.ZnO纳米管中填充Ag纳米颗粒链的纳米豆荚结构的制备我们利用雷利不稳定性制备出Ag/ZnO纳米豆荚。制备过程分为两步,第一步先通过第二章中介绍的气相法以AgNO3和ZnO为源热蒸发,制备出Ag/ZnO同轴纳米电缆。第二步将Ag/ZnO纳米电缆在管式炉中退火,退火过程中在雷利不稳定性的作用下Ag纳米线变为液态并且断裂,然后在保持低表面能的作用下形成球形Ag纳米颗粒,最终得到了Ag纳米颗粒填充ZnO纳米管的Ag/ZnO纳米豆荚结构。同时,我们研究了退火温度和退火时间对产物结构的影响。另外还对比了Ag/ZnO纳米电缆内外径之间空隙的大小对Ag形变过程的影响,观察到当纳米电缆内外径之间空隙较小时退火后会得到Ag纳米棒填充的纳米豆荚结构,而当纳米电缆内外径之间空隙足够大时退火后会得到球形Ag纳米颗粒填充的纳米豆荚结构,这与之前报道观察到的现象一致。