人们生活在一个丰富多彩的信息世界中,每时每刻都离不开信息的获取与交流。由于视觉信息丰富、准确、及时、可靠,自古以来就是人类获取信息最主要的手段。显示技术是将浩如烟海的信息转化为视觉信息的重要技术。随着电子产品、便携式移动通信的飞速发展,人们对显示技术和显示器件的要求也越来越高。微显示技术的研究热潮正是因此而兴起的,它可以带给人们更清晰、准确、实时、直观、节能、便携的显示器件。LED微显示器件作为一种全固体的主动发光器件,拥有许多优点:工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等。LED阵列技术是制备这种器件的核心技术,而能否在相邻的像素之间制作出良好的隔离沟槽又是LED阵列技术的关键所在。本论文首先介绍了微显示器件的兴起和发展,并详述LED微显示器件的发展历程。其次,阐述了制作AlGaInP-LED微显示器件的意义。在分析和计算AlGaInP材料的发光特性及注入电流的空间分布的基础上,确定了器件像素的尺寸及隔离沟槽的宽度、深度等重要指标。接下来,研究了p-GaP、AlGaInP、n-GaAs等材料的结构和各向异性腐蚀特性,并针对分析结果设计了器件隔离沟槽的制作流程。选取不同的腐蚀液及相应掩模进行实验,根据实验结果确定较优的制作方案。最后,对实验过程中出现的问题进行分析总结。