【摘 要】
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本文采用密度泛函理论，利用Dnlol3软件，分别研究了掺杂的半导体团簇GeB(n=12～19)和GeCo(n=1～13)的几何结构，电子性质和磁性，得到了稳定的结构和一些独特的性质。详细讨论如下： 采
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本文采用密度泛函理论，利用Dnlol3软件，分别研究了掺杂的半导体团簇Ge<,n>B(n=12～19)和Ge<,n>Co(n=1～13)的几何结构，电子性质和磁性，得到了稳定的结构和一些独特的性质。详细讨论如下：
采用RPBE交换．关联势，对Ge<,n>B(n=12～19)团簇的研究结果表明：掺杂后团簇的平均结合能增大，团簇的稳定性有所增强；这些团簇具有较大的能隙；Ge<,n>B团簇的最低能量结构包含两种基本的结构单元：Ge<,9>及Ge<,10>结构单元；B原子嵌套在Ge<,n>团簇中和B原子替代Ge<,n+1>团簇中的Ge原子是构成Ge<,n>B团簇的两种基本生长模式；在所研究的团簇中，Ge<,17>B团簇具有相对较高的稳定性。
对过渡金属元素Co掺杂的半导体团簇Ge<,n>Co的结果表明：Co原子的掺杂可使团簇的结构更稳定：在Ge<,n>Co团簇中没有发现磁矩淬灭现象，这和已有的关于Si<,n>Fe和Si<,n>Co团簇的研究结果有所不同。我们从轨道和电荷角度讨论了磁矩没有发生淬灭的原因。和主团簇相比，掺杂后团簇的能隙降低，表现出类金属性质。
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